800/900MHz自主创新RFID国家标准即将发布

自主创准即进入国家自然科学基金委员会优秀青年科学基金项目答辩阶段（2019）。

以第一作者或通讯作者在NanoEnergy、家标Small、Nanoscale、ChemicalEngineeringJournal等Top期刊发表多篇学术论文。自主创准即获得2018年度广东省自然科学二等奖（排名第三）。

我们将SPS技术应用于Sb2Se3定向成分溅射靶材烧结（图9），家标首先将定向比例的Sb2Se3粉末进行球磨，家标然后采用等离子体烧结制备出直径为60mm、厚度为2mm且相对密度达到98%的高质量非晶Sb2Se3定向成分靶材（相关工作发表在Sol.Energy Mater.Sol.Cells, 2020, 211, 110530）。引言：自主创准即近年来，自主创准即硒化锑(Sb2Se3)凭借原材料绿色低毒、价格低廉、一维独特结构贡献良性晶界、二元单相组成易于制备、理想带隙匹配高吸光系数、优异的载流子迁移率及介电常数等优势，在新型高效低成本薄膜太阳电池研究领域引起广泛关注。图文导读：家标图1 Sb2Se3薄膜太阳电池制备过程示意图图2 不同厚度Sb2Se3薄膜的XRD图谱 (a)，家标不同厚度Sb2Se3薄膜的SEM图(标尺为1µm)(b-f)图3Sb2Se3薄膜的拉曼光谱 (a)，薄膜的反射光谱(b)，薄膜的光学带隙(c)图4Sb2Se3薄膜太阳电池器件性能统计，开路电压(Voc)(a)，短路电流密度(Jsc)(b)，填充因子(FF)(c)，转换效率(PCE) (d)，器件J-V曲线 (e)，EQE图谱 (f)图5 Sb2Se3薄膜太阳电池器件的电学性能表征，暗态J-V曲线 (a)，并联电导G(b)，串联电阻R和理想因子A(c)，反向饱和电流密度Jo(d)，器件trap-filledlimit(TFL)分析 (e-f)图6 Sb2Se3薄膜太阳电池器件的1/C2-V曲线 (a)，CV和DLCP曲线 (b)，剖面EBIC图 (c)，EBIC信号强度曲线 (d)图7 太阳电池的形貌和结构表征，剖面SEM图及相应元素分布图 (a)，剖面TEM/HRTEM/FFT图及Sb2Se3/CdS异质结界面元素分布图 (b)图8 Sb2Se3/CdS异质结热处理诱发元素扩散示意图 (a)，能带排列变化示意图 (b)近期其他相关研究成果展示：1.等离子体烧结溅射用定向成分Sb2Se3合金靶材放电等离子烧结（SparkPlasmaSintering，简称SPS）是制备功能材料的一种全新技术，它具有升温速度快、烧结时间短、组织结构可控、节能环保等鲜明特点。

已在国内外主要专业学术期刊上发表SCI收录论文120余篇，自主创准即获得美国和日本等国家授权发明专利7项，国内发明专利授权12项。高效率CIGS薄膜太阳电池Voc-def约354mV，家标而目前最高效率的Sb2Se3薄膜太阳电池开路电压为400mV，亏损接近800mV。

另外，自主创准即采用该法制备Sb2Se3薄膜可同时自主抑制MoSe2层过厚生长，自主创准即结合第一性原理计算研究Sb、Mo和Se之间相互作用的强弱，发现高温热处理过程中Se取代体相Sb原子的取代能（-2.54eV）较Mo（-1.23eV）更低（相关工作发表在Chem.Eng.J., 2020,390, 124599）。

图9等离子体烧结的Sb2Se3溅射合金靶材2.溅射Sb硒化反应成膜及太阳电池构建采用溅射Sb金属预制层结合后硒化反应生长Sb2Se3薄膜，家标其生长过程跟硒化时间密切相关（图10），家标当硒化时间不足时，在底部容易因为硒化不完全出现细晶。2015年6月，自主创准即创维发布了全球首台量产的4KHDR电视。

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